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丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN
衬底
碳化硅单晶
衬底
的常用检测技术
新进展!西安交通大学实现2英寸单晶金刚石异质外延自支撑
衬底
量产
金刚石
半导体
MPCVD
异质外延
2英寸
量产
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合
衬底
的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
镓和半导体展示多规格氧化镓单晶
衬底
并首次公开发布4英寸(100)面单晶
衬底
参数
世界最好水平!奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶
衬底
简述碳化硅
衬底
制备的重点与难点
简述Ir
衬底
上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅
衬底
GaN基纵向功率器件
国产4英寸氧化镓晶圆
衬底
技术获突破!
GaN
衬底
研发获新突破!
技术转化项目发布:英寸级单晶金刚石
衬底
及其关键设备的产业化
西安交大王宏兴教授团队在单晶金刚石
衬底
技术产业化上取得重大进展
碳化硅单晶
衬底
加工技术现状及发展趋势综述
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN
衬底
上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和
衬底
制备
山东大学
晶体材料
4HSiC
衬底
8英寸
技术分享:基于氮化镓单晶
衬底
的增强型氮化镓HEMTs
超芯星6英寸碳化硅
衬底
进入美国高端市场
在纳米图案化蓝宝石
衬底
(NPSS)上实现AlGaN基高效多量子阱的生长
GaN单晶
衬底
减薄新技术
金刚石MOSFET器件最新成果!在(111)金刚石
衬底
上成功制备高性能C-Si MOSFET器件
玻璃
衬底
上首次“异质外延”出准单晶氮化镓薄膜
玻璃衬底
异质外延
准单晶
氮化镓
薄膜
同光晶体10万片直径4-6英寸碳化硅单晶
衬底
项目落地河北涞源县
同光晶体
10万片
直径
4-6英寸
碳化硅
单晶衬底
河北
涞源县
致力于6英寸碳化硅
衬底
研发,江苏超芯星完成天使轮投资
6英寸
碳化硅衬底
研发
苏超芯星
天使轮
投资
投资10亿元!博蓝特碳化硅及大尺寸蓝宝石
衬底
项目落户金华
投资
博蓝特
碳化硅
大尺寸
蓝宝石衬底
金华
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